日前由前台大校长李嗣涔、曾任台大电子所教授何志浩组成的跨国研究团队,成功研发出号称“零缺陷”的新半导体材料,可望大幅提升 led 发光效率。
这个团队的组成是美国加州大学柏克莱分校教授ali javey、阿卜杜拉国王科技大学(kaust)教授何志浩、、前台大校长李嗣涔等人组成,已经发表了论文,论文共同第一作者连德轩是台大电机系博士。
台大跨国研究团队指出,过去的半导体材料如果越薄,其本身的物理缺陷就会对于电子、光电元件的可用效能,产生负面的影响。而目前该研究团队找到了修复缺陷的简单方法,建构出优质的单层二维半导体材料 mos2,没有过去二维材料的缺陷密度过高问题,期望未来可以提升 led 发光的效率,更之后则有机会成为超微小半导体元件中的重要材料选择之一。
根据研究团队的说法,这种材料可以发展出透明,同时具备挠性的高性能led显示器,以及超高效率的太阳能发电元件,以及高敏感度的光侦测元件,还有更低功耗的奈米级半导体电晶体元件。
ledinside 检视他们论文和发表的内容,研究团队是把二硫化钼(mos2)材料浸润在亚胺(bistriflimide)的有机超强酸里面,这样一来可大幅提高二维材料的量子效率,提升的极限,从原本提升不到1%的效果,增加到接近100%,换言之就是将近倍增的效果,因此有些媒体报导说 led 发光效率可以提升 100 倍,这是错误的描述,并不是真的。
业界的计算,对于红色ledμ(e-l)r=89.55%×60%=53.73%,而对于蓝色led则有μ(e-l)β=77.64%×60%=46.58%。
蓝光的内量子效率目前能达到77%,外量子效率60%,这样蓝光的量子效率是46%。因此如果新材料能够让量子效率倍增,应该是很不错的成就了。style="font-family: ">
这个材料要商业化,预期还有一段时间,世人可以拭目以待,期望有更好的光电与半导体材料造福人群与产业。
来源:中国led在线